联电在大陆控告美光专利侵权案，判决结果昨（3）日出炉，联电获判胜诉，美光必须将部分停止销售、制造及进口。业界的人表示，美光意图阻挠联电、福建晋华在存储器领域上的合作案，却轻忽联电在专利布局上已经有相当实力，所以才会在大陆踢到铁板。

  美光于去年底在美国对联电掀起诉讼战，联电也不甘示弱在大陆对美光展开反击。大陆法院昨日判决结果指出，美光确实侵害联电营业秘密。业界人士指出，联电早在DRAM上有自主研发能力，且专利布局时间相当长远，无须仰赖其他家公司就能自主生产。

  事实上，美光与联电的DRAM存储胞架构明显不同，美光主要是采用直行式主动区（ve Area，AA）设计，联电则选择交错式AA设计，其中DRAM的存储胞为技术关键核心，核心不同，也就代表研发技术不同。

  再加上联电早年就有DRAM生产能力，且拥有相当多专利，未来DRAM世代再度向上提升后，将会进入到MRAM的新蓝海市场，因此联电现在可望借由旧有DRAM技术，将***存储器领域向下扎根、向上生长。

  业界的人表示，美光先前在美国对联电、福建晋华控告侵害DRAM专利权，但从目前大陆判决结果为，联电拥有逻辑及存储器晶片的研发能力，美光可能是有意阻挠联电和晋华合作，因为联电有自主研发能力，担心对其有重大影响，所以美光才会从***及美国一路提告，同时透过媒体试图中伤联电。

  业界人士推测，美光对联电及晋华提告，最终目标应是希望晋华未来能够与美光在DRAM市场上携手合作，也就是循华亚科模式，让美光在大陆DRAM市场可以获取更大利益。

  业内人说，美光本次对联电的诉讼忽略的是联电在晶圆代工领域已经有30多年的历史，不论在逻辑、射频RF）及存储器等专利布局，因此美光这次严重轻忽联电的技术布局实力，才会在中国大陆侵权案败诉。

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