据彭博社报道，日本经济产业省近日发布了修订后的半导体领域战略，目标是 2030 年将日本国内的半导体行业销售额提升至 15 万亿日元。日本也将芯片行业作为国家经济安全的核心。

  日本经济产业省表示，这一战略目标旨在加强研发和生产尖端半导体的能力，因为先进的芯片制造技术对国家经济安全和生成式 AI 技术的发展等至关重要。该部门认为，未来台积电和铠侠，将共同为日本 GDP 贡献 4.2 万亿日元；这一芯片行业促进计划，还有望创造约 46.3 万个工作岗位。

  据路透社报道，近日一财团计划斥资 30 亿美元在印度建设半导体设施一事陷入停滞，原因是被该财团列为技术伙伴的以色列芯片制造商塔尔半导体公司(Tower Semiconductor)正被英特尔公司收购。此事陷入停滞令印度的芯片生产计划破灭。

  另一位直接知情的人说，第二项价值 195 亿美元、在印度本土生产芯片的计划——芯片将由印度韦丹塔公司和台湾富士康公司的合资公司生产，目前同样进展缓慢，因两家公司劝说欧洲芯片制造商意法半导体有限公司加盟的谈判陷入僵局。

  据中新社报道，法国经济和财政部近日表示，将为一家半导体新工厂提供约29 亿欧元援助。此半导体新工厂是由芯片制造商意法半导体(STM)和格芯(Global Foundries)两家公司共同兴建的，厂址选为法国东南部城市格勒诺布尔附近的山区城镇中。

  该项目总投资近 75 亿欧元，预计将在 2028 年实现满负荷生产，提供 1000个就业岗位，届时该项目将有效提升欧盟的芯片产能。该工厂生产的芯片将用于汽车、物联网和移动应用程序等。

  法国经济德国科技集团默克 CEO 表示，与中国解除贸易关系将付出巨大的经济代价。据路透社报道，几个月来，美国和德国议员一直呼吁减少贸易，以减少对中国的依赖。默克 CEO Belen Garijo 表示，大国之间的依赖关系是巨大的，需要 20 年的时间才能实现脱钩。

  Garijo 指出，默克在中国的历史可以追溯到近 90 年前。去年，默克 222亿欧元的销售额中，有 32 亿欧元来自中国，其产品有生物反应器设备和用来制造微芯片和平板显示器的化学品。

  2023 年第一季前十大晶圆代工业者产能利用率及出货均下跌,台积电(TSMC)第一季营收 167.4 亿美元,环比减少 16.2%,由于笔电、智能手机等主流应用需求疲弱，7/6nm 及5/4nm 产能利用率明显下跌，营收分别环比减少逾 20%及 17%。

  第二季可望短暂受惠于急单需求，但产能利用率持续低迷，预期第二季营收仍会衰退，季度跌幅较第一季收敛。

  得益于近年来中国大陆全力发展半导体制造业，晶圆制造产品持续提升，带动了半导体材料消费的增长，2022 年中国大陆半导体材料市场的营收规模达到 129.7 亿美元，同比增长 7.3%，位居全球半导体材料市场第二名。

  据韩联社报道，韩国科学技术信息通信部 14 日公布的多个方面数据显示，ICT 产品出口额已连续 11 个月下降，今年 5 月的出口额更是较去年同期暴跌 28.5%，出口额仅为 144.5 亿美元。有必要注意一下的是，几乎全部的产品类别的 ICT 出口额在 5 月都出现了下滑。

  从细分领域来看，占 ICT 总出口近半数的半导体出口额为 75 亿美元，同比下降 35.7%。而显示器、手机、电脑及周边设备、通讯设备的出口额分别下降了 12%、17.2%、53.1%、11.1%。

  近日，欧洲芯片制造商意法半导体和三安光电表示，双方计划在中国重庆成立一家制造 8 英寸碳化硅(SiC)器件的合资工厂，该器件大多数都用在电动汽车、工业电力和其他能源领域。两家公司表示，新合资工厂业的总成本预计约为 32 亿美元，其中未来五年预计会投入 24 亿美元。

  该工厂预计将于 2025 年第四季度开始生产，并于 2028 年全面落成。同时，三安光电将利用自有 SiC 衬底工艺，单独建造和运营一个新的 8 英寸SiC 衬造厂，以满足合资工厂的衬底需求。

  据媒体报道，西门子公司董事会主席、总裁兼 CEO 博乐仁将于 6 月中旬访华。此次访华是博乐仁今年第二次到访中国，将宣布西门子在中国市场的新动作。

  此次访华期间，博乐仁将出席在北京举办的西门子首届数字化的经济论坛。他还将与政府和行业合作伙伴一同探讨如何推动产业数字化和低碳化转型，宣布西门子在中国市场的一系列重要举措。

  近日，瑞萨电子宣布针对专注于高性能无线产品的无晶圆厂半导体公司Panthronics AG (以下简称“Panthronics”)的收购，在获得必要的监管批准后，于日本标准时间 2023 年 6 月 2 日、中欧夏令时 2023 年 6 月 1 日成功完成。

  瑞萨电子同时宣布了 13 项“成功产品组合”解决方案设计，将瑞萨电子的产品与Panthronics 独特的近场通信(NFC)技术相结合，展示了瑞萨电子科技类产品阵容的持续扩展，特别在连接领域。

  遭遇热浪的越南正在努力应对严重的电力短缺，这对涌入越南的制造商造成了打击，这些制造商将越南视为中国的替代选择。

  鸿海和立讯精密等苹果公司供应商的部分生产工厂，以及三星电子在越南北部的工厂都收到当地电力公司的要求，让它们考虑轮流停电，或者至少在高峰时期减少用电。5 月中旬电力供应紧张，当地政府官员告诉他们要为至少持续到 6 月底的电力短缺做好准备。

  近日，AMD 在美国旧金山举办的“数据中心和人工智能技术首映式”活动上，正式对外发布 MI300 系列在内的一系列 AI 和数据中心有关技术产品，这中间还包括直接对标英伟达旗舰产品 H100 的 MI300X,以及全球首款针对 AI 和 HPC 的加速处理器(APU)MI300A。

  这意味着AMD 将在AI领域与英伟达“正面刚”。显然，其中最受瞩目的莫过于用于训练大模型的 AI 芯片 InstinctMI 300X,直接对标英伟高端 GPUH100。

  台积电宣布其 Advanced Backend(先进后端)晶圆厂 Fab 6 开业启用，这是该公司首个一体自动化先进封装和测试晶圆厂，用于实现 3D Fabric 集成,这是代工厂的 Chiplet (小芯片)和多芯片组装方法。

  有行业观察人认为，是因为近几个月 AI GPU 一直供不应求，产能有限的 CoWoS 来不及适应，使得台积电优先保证了对先进封装的规划。Advanced Backend Fab 6 准备量产 TSMC-SoIC(集成芯片系统)工艺技术，将使台积电能够为其 3D Fabric 先进封装和芯片堆叠技术(如 SoIC、InFO、CoWoS 和先进测试)分配产能,来提升生产良率和效率。

  芯和半导体在 2023 年 IMS 国际微波研讨会上，正式公开宣布通过其大规模生产验证的IPD开发平台，芯和集成无源器件(IPD)出货量已突破 20 亿颗，大范围的应用于射频前端模组。

  芯和半导体的 IPD 产品和 IPD 开发平台于 6 月 13 日至 15 日在美国圣地亚哥举行的IEEE MTT 国际微波研讨会上展示，这也是芯和连续第十年参展该活动。作为实现小型化、高性能、低成本和高可靠性电子系统的重要技术之一，IPD 集成无源器件能满足各种无线应用场景对硬件系统“功能持续不断的增加、集成度逐步的提升”的需求。

  近日，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室微波光电子课题组李明研究员—祝宁华院士团队研制出一款超高集成度光学卷积处理器。相关研究成果发表在《自然-通讯》上。

  卷积神经网络是一种受生物视觉神经系统启发而发展起来的人工神经网络。它由多层卷积层、池化层和全连接层组成。作为卷积神经网络的核心组成部分，卷积层通过对输入数据来进行局部感知和权值共享，提取出不一样的层次和抽象程度的特征。

  近日，清华大学材料学院钟敏霖教授课题组利用激光微纳制造方法，制备出具有高光热蒸发效率的高效薄液膜蒸发表面，并进一步提出复合构型超薄吸液芯结构，实现目前国际最薄之一(0.22mm)的智能手机高效散热超薄均热板(VC)的全激光制备。

  随着 5G 和 AI 技术的快速的提升、芯片制程尺度的减小和计算性能的提升；终端电子设备单位面积产生的热量迅速上升，怎么来实现芯片高热区域的快速散热与温度的有效控制，对于确保高性能计算和智能手机的稳定运行具备极其重大意义。基于相变原理的高效散热器件,均热板(Vapor Chamber,VC)能够将热点处的热量快速均匀地传递出来，在各个品牌的手机中得到了越来越广的应用。

  近日，武汉光电国家研究中心陈林教授联合香港大学张霜教授，新加坡国立大学的仇成伟教授和中国国家纳米科学中心董凤良教授,在《先进光子学》发表最新研究进展。

  拓扑集成光路具有鲁棒性，可以轻松又有效提升系统对加工误差的容忍度，因而受到广泛关注。通过对拓扑边界态的控制，可以在一定程度上完成光子态的量子化泵浦输运、非阿贝尔编织、单向传输，这些研究成果可以被用来开发耦合器、光开关、复用/解复用器等基础光路单元，从而有效提升光计算、光互连网络的整体性能。

  金属有机框架(MOF)由分散良好的金属节点和有机配体组成，是一类结晶多孔材料。由于骨架可当作优越的电子通道，有序的多孔结构促进了反应物、产物和电解质的超快传输，MOF 被视为各种应用的新型催化剂。更重要的是，MOF的催化性能能够最终靠调整其拓扑结构和金属节点被轻松优化。与传统无机材料相比，在分子水平上具有可调均质微环境的 MOF 在实际催化方面具有多重优势。

  6 月 12 日消息，日本半导体设备大厂东京电子(TEL)宣布，其等离子体蚀刻系统的开发和制造基地已经开发出一种创新的通孔蚀刻技术，能够适用于堆叠超过 400 层的先进3DNAND Flash 闪存芯片。

  开发团队的新工艺首次将电介质蚀刻应用带入低温范围，从而打造了一个具有极高蚀刻率的系统。据介绍，这项创新的技术不仅能在短短 33 分钟内完成 10 微米深度的高纵横比蚀刻，缩减了耗时，而且蚀刻结构的几何形状相当明显也有助于制造更高容量的 3DNAND 闪存芯片。

  光计算在 AI 领域呈现高速的发展，具有广阔的应用前景。近日，中国科学院半导体研究团队研制出一款超高集成度光学卷积处理器，这标志着我国在光计算方面有了重大突破。

  据了解，光计算是一种利用光波作为载体进行信息处理的技术，具有大带宽、低延时、低功耗等优点，提供了一种“传输即计算，结构即功能”的计算架构，有望避免冯·诺依曼计算范式中存在的数据潮汐传输问题。近年来，光计算非常关注。目前，硅光芯片在所有芯片类型中增速最高，有机构预测，到 2027 年左右，基于硅光芯片的光模块占比将超过 50%。

  EDA 被称为芯片之母，属于半导体设计中的核心技术，全球市场主要被欧美三家公司垄断，国内公司还在快速追赶，日前国产 EDA 公司芯华章宣布了一项硬件仿真领域的重要突破。

  该公司发布了国内首台设计上支持超百亿门大容量的硬件仿真系统桦敏 HuaEmu E1，可满足 150 亿门以上芯片应用系统的验证容量。据官方介绍，该产品基于自主研发，实现多项国内验证技术突破，具备大规模可扩展验证容量、自动化实现工具、全流程智能编译、高速运行性能以及强大的调试能力，从而极大助力软硬件协同开发，提升系统级创新效率，赋能高性能计算、GPU、人工智能、智能驾驶、无线通信等各种应用领域的开发。

  据外媒报道，英特尔计划在韩国首尔建设一个数据中心开发实验室，以加强与当地主要芯片制造商的合作。该实验室将被命名为“高级数据中心开发实验室”(Advanced Data Center Development Lab),将专注于研究 CXL DRAM 和DDR4 内存等热门内存技术。预计将在 2023 年投入使用。

  英特尔此举预计将有利于其加强与提供下一代 DDR5 内存的韩国本土芯片制造商三星电子和 SK 海力士的合作。今年 5 月初，英特尔证实，公司计划裁员，以减少相关成本。外国媒体报道称，该公司计划在其客户端计算业务部门和数据中心部门裁员 20%。

  近日，IBM 宣布将建立首个欧洲量子数据中心，以便企业、研究机构和政府机构使用尖端量子计算。该数据中心位于 IBM 德国埃宁根工厂，并将作为 IBM Quantum 的欧洲云区域，预计将于 2024 年投入运营，配备多个 IBM 量子计算系统，每个系统均配备超过 100 个量子比特的量子处理器。

  据悉，这是 IBM 继纽约波基普西之后设立的第二个量子数据中心和量子云区域，IBM 于 2019 年 9 月在纽约开设量子中心，当时消息显示纽约数据中心用于支持超过 150，000 名注册用户和近 80 家商业客户、学术机构和研究实验室一直增长的需求，以推进量子计算和探索实际应用。

  台积电近日召开股东常会，董事长刘德音会后受访时针对海外布局进一步说明。台积电在日本熊本设一厂，预计 2024 年量产，刘德音表示目前正评估设第二座厂，建厂地点还会在熊本，以成熟制程为主，没有导入先进制程的计划。

  据台媒报道，刘德音说明，日本政府希望台积电继续扩大在日本投资。目前台积电在日本只有第一座厂的用地，第二座厂的用地则还在征收中，地点还是在熊本；由于很多客户觉得台积电成熟制程产能不够，日本第二座厂将朝成熟制程方向评估，目前没有导入先进制程的计划。

  6 月 13 日，国家发改委等部门印发《职业教育产教融合赋能提升行动实施方案(2023 —2025 年)》提到，到 2025 年,国家产教融合试点城市达到 50 个左右，试点城市的突破和引领带动作用充分的发挥，在全国建设培育 1 万家以上产教融合型企业。

  《实施方案》指出，在新一代信息技术、集成电路、人工智能、工业互联网、储能、人机一体化智能系统、生物医药、新材料等战略性新兴起的产业，以及养老、托育、家政等生活服务业等行业，深入推动产教融合，培养服务支撑产业重大需求的技能技术人才。

  据北京亦庄消息，6 月 13 日，北京集成电路产教融合基地项目已于日前取得建筑工程项目施工许可证，将全方面进入建设阶段。

  该项目预计于 2025 年 9 月竣工。该项目总用地面积 26943.38 平方米，总建筑面积 105524 平方米。未来，四栋地上11 层、地下 3 层的教学科研楼将在此拔地而起，除了教室、实验实习用房、图书馆、行政办公用房等，还配备了食堂、师生活动用房、地下车库， 以及近 600 个机动车停车位等，能够很好的满足教学、科研及生活功能需求。项目建成后，能满足 2000 人同时在校培训。

  据报道，为推动生产地来源多样化，英特尔将斥资 250 亿美元在以色列建设一家新工厂，这也是以色列有史以来获得的最大一笔国际投资。近日，以色列财政部和总理内塔尼亚胡宣布了初步协议。英特尔随后证实了该公司“有意扩大在以色列的生产能力”，但公司方面没有具体说明条款或提供其他细节。

  据一位知情的人偷偷表示，该工厂将用于晶圆制造。据介绍，英特尔在以色列经营近 50 年来，已成为该国最大的私营雇主和出口商之一，也是当地电子和信息行业的领导者。

  6月9日，贵州集成电路设计研究院揭牌仪式暨贵州省集成电路前沿论坛在云岩区协同创新工业集中发展区举行。

  贵州集成电路设计研究院由贵州黔芯智造工程与技术研究有限公司、北京华大九天股份有限公司、贵州大学大数据与信息工程学院联合建立，旨在瞄准集成电路“卡脖子”难题，充分整合电子信息、计算机、通信等行业优势资源，打破技术壁垒，强化交叉融合，聚焦集成电路科学前沿，开展射频集成系统、智能感知芯片、集成电路 EDA 软件、集成电路装备等研究，持续为集成电路产业提供研发技术、科学技术创新、人才教育培训、成果孵化等方面服务。

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